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GeneSiC Semiconductor - MBR60030CT

KEY Part #: K6468528

MBR60030CT Preise (USD) [969Stück Lager]

  • 1 pcs$47.90423
  • 25 pcs$37.09736
Artikelnummer:
MBR60030CT
Hersteller:
GeneSiC Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
DIODE MODULE 30V 300A 2TOWER. Schottky Diodes & Rectifiers SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 600A 30P/21R
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Thyristoren - Thyristoren, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt and Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf GeneSiC Semiconductor MBR60030CT elektronische Komponenten. MBR60030CT kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu MBR60030CT haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MBR60030CT Produkteigenschaften

Artikelnummer : MBR60030CT
Hersteller : GeneSiC Semiconductor
Beschreibung : DIODE MODULE 30V 300A 2TOWER
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodenkonfiguration : 1 Pair Common Cathode
Diodentyp : Schottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 30V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) : 300A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 750mV @ 300A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : -
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 1mA @ 20V
Betriebstemperatur - Übergang : -
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : Twin Tower
Supplier Device Package : Twin Tower
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