Infineon Technologies - IDW30G120C5BFKSA1

KEY Part #: K6473567

IDW30G120C5BFKSA1 Preise (USD) [3892Stück Lager]

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Artikelnummer:
IDW30G120C5BFKSA1
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 1200V 44A TO247-3. Schottky Diodes & Rectifiers SIC CHIP/DISCRETE
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Dioden - Zener - Single, Dioden - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - JFETs, Dioden - Gleichrichter - Single and Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IDW30G120C5BFKSA1 elektronische Komponenten. IDW30G120C5BFKSA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IDW30G120C5BFKSA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IDW30G120C5BFKSA1 Produkteigenschaften

Artikelnummer : IDW30G120C5BFKSA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : DIODE GEN PURP 1200V 44A TO247-3
Serie : CoolSiC™
Teilestatus : Active
Diodenkonfiguration : 1 Pair Common Cathode
Diodentyp : Silicon Carbide Schottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 1200V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) : 44A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.65V @ 15A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : -
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 124µA @ 1200V
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 175°C
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : TO-247-3
Supplier Device Package : PG-TO247-3

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