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Microsemi Corporation - JAN1N5554

KEY Part #: K6427296

JAN1N5554 Preise (USD) [9553Stück Lager]

  • 1 pcs$4.41639
  • 103 pcs$4.39442
Artikelnummer:
JAN1N5554
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL. ESD Suppressors / TVS Diodes D MET 3A STD 1KV
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Thyristoren - TRIACs, Dioden - Zener - Arrays and Leistungstreibermodule ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation JAN1N5554 elektronische Komponenten. JAN1N5554 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu JAN1N5554 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N5554 Produkteigenschaften

Artikelnummer : JAN1N5554
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL
Serie : Military, MIL-PRF-19500/420
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 1000V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 3A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.3V @ 9A
Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 2µs
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 1µA @ 1000V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : B, Axial
Supplier Device Package : -
Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 175°C

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