VS-GB100LP120N Preise (USD) [1197Stück Lager]
- 1 pcs$36.16500
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- Artikelnummer:
- VS-GB100LP120N
- Hersteller:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Detaillierte Beschreibung:
- IGBT 1200V 200A 658W INT-A-PAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Programmierbare Einheit, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Thyristoren - TRIACs, Dioden - Zener - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays and Leistungstreibermodule ...
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VS-GB100LP120N Produkteigenschaften
Artikelnummer :
VS-GB100LP120N
Hersteller :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung :
IGBT 1200V 200A 658W INT-A-PAK
Serie :
-
Teilestatus :
Active
IGBT-Typ :
-
Aufbau :
Single
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
200A
Leistung max :
658W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic :
1.8V @ 15V, 100A (Typ)
Strom - Kollektorabschaltung (max.) :
1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce :
7.43nF @ 25V
Eingang :
Standard
NTC-Thermistor :
No
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Chassis Mount
Paket / fall :
INT-A-Pak
Supplier Device Package :
INT-A-PAK
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