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Microsemi Corporation - 1N6081US

KEY Part #: K6426641

1N6081US Preise (USD) [2066Stück Lager]

  • 1 pcs$22.12726
  • 100 pcs$22.01717
Artikelnummer:
1N6081US
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 150V 2A G-MELF. Rectifiers Rectifier
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - IGBTs - Module, Leistungstreibermodule and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation 1N6081US elektronische Komponenten. 1N6081US kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu 1N6081US haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N6081US Produkteigenschaften

Artikelnummer : 1N6081US
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : DIODE GEN PURP 150V 2A G-MELF
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 150V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 2A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.5V @ 37.7A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 30ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 10µA @ 150V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : SQ-MELF, G
Supplier Device Package : G-MELF (D-5C)
Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 155°C

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