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Microsemi Corporation - JANS1N5809

KEY Part #: K6441994

JANS1N5809 Preise (USD) [1266Stück Lager]

  • 1 pcs$34.20081
  • 10 pcs$32.12615
  • 25 pcs$30.67546
Artikelnummer:
JANS1N5809
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - IGBTs - Module, Dioden - Brückengleichrichter, Leistungstreibermodule, Dioden - Gleichrichter - Single, Dioden - Zener - Arrays and Dioden - Gleichrichter - Arrays ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation JANS1N5809 elektronische Komponenten. JANS1N5809 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu JANS1N5809 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANS1N5809 Produkteigenschaften

Artikelnummer : JANS1N5809
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL
Serie : Military, MIL-PRF-19500/477
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 100V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 3A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 875mV @ 4A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 30ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 5µA @ 100V
Kapazität @ Vr, F : 60pF @ 10V, 1MHz
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : B, Axial
Supplier Device Package : -
Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 175°C

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