Taiwan Semiconductor Corporation - SF1002GHC0G

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SF1002GHC0G Preise (USD) [334003Stück Lager]

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Artikelnummer:
SF1002GHC0G
Hersteller:
Taiwan Semiconductor Corporation
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 100V 10A TO220AB.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Leistungstreibermodule, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Dioden - Zener - Single and Transistoren - IGBTs - Arrays ...
Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SF1002GHC0G Produkteigenschaften

Artikelnummer : SF1002GHC0G
Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation
Beschreibung : DIODE GEN PURP 100V 10A TO220AB
Serie : Automotive, AEC-Q101
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 100V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 10A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 975mV @ 5A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 35ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 10µA @ 100V
Kapazität @ Vr, F : 70pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : TO-220-3
Supplier Device Package : TO-220AB
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 150°C

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