FGB5N60UNDF Preise (USD) [83572Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- FGB5N60UNDF
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- IGBT 600V 10A 73.5W D2PAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - IGBTs - Single, Dioden - Brückengleichrichter, Thyristoren - TRIACs, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF and Transistoren - IGBTs - Module ...
- Wettbewerbsvorteil:
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FGB5N60UNDF Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FGB5N60UNDF
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
IGBT 600V 10A 73.5W D2PAK
Serie :
-
Teilestatus :
Active
IGBT-Typ :
NPT
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
600V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
10A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) :
15A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic :
2.4V @ 15V, 5A
Leistung max :
73.5W
Energie wechseln :
80µJ (on), 70µJ (off)
Eingabetyp :
Standard
Gate Charge :
12.1nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C :
5.4ns/25.4ns
Testbedingung :
400V, 5A, 10 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) :
35ns
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package :
TO-263AB (D²PAK)
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