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Microsemi Corporation - JANTXV1N5811US

KEY Part #: K6432875

JANTXV1N5811US Preise (USD) [6394Stück Lager]

  • 1 pcs$7.73568
  • 108 pcs$7.69719
Artikelnummer:
JANTXV1N5811US
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 150V 3A B-MELF. ESD Suppressors / TVS Diodes D MET 6A SFST 150V HRV SM
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Leistungstreibermodule, Dioden - RF, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - JFETs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - IGBTs - Single and Transistoren - FETs, MOSFETs - HF ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation JANTXV1N5811US elektronische Komponenten. JANTXV1N5811US kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu JANTXV1N5811US haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANTXV1N5811US Produkteigenschaften

Artikelnummer : JANTXV1N5811US
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : DIODE GEN PURP 150V 3A B-MELF
Serie : Military, MIL-PRF-19500/477
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 150V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 3A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 875mV @ 4A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 30ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 5µA @ 150V
Kapazität @ Vr, F : 60pF @ 10V, 1MHz
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : SQ-MELF, B
Supplier Device Package : B, SQ-MELF
Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 175°C

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