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GeneSiC Semiconductor - MSRTA20060(A)D

KEY Part #: K6468683

MSRTA20060(A)D Preise (USD) [1076Stück Lager]

  • 1 pcs$40.21856
  • 18 pcs$27.59312
Artikelnummer:
MSRTA20060(A)D
Hersteller:
GeneSiC Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER. Rectifiers 600V 200A Forward
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Thyristoren - Thyristoren, Thyristoren - SCRs - Module, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Dioden - Brückengleichrichter, Dioden - Zener - Arrays, Dioden - Zener - Single and Transistoren - Bipolar (BJT) - Single ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf GeneSiC Semiconductor MSRTA20060(A)D elektronische Komponenten. MSRTA20060(A)D kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu MSRTA20060(A)D haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MSRTA20060(A)D Produkteigenschaften

Artikelnummer : MSRTA20060(A)D
Hersteller : GeneSiC Semiconductor
Beschreibung : DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodenkonfiguration : 1 Pair Series Connection
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) : 200A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 200A
Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : -
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 10µA @ 600V
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 150°C
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : Three Tower
Supplier Device Package : Three Tower
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