HGTG30N60B3D Preise (USD) [13732Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- HGTG30N60B3D
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- IGBT 600V 60A 208W TO247.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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HGTG30N60B3D Produkteigenschaften
Artikelnummer :
HGTG30N60B3D
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
IGBT 600V 60A 208W TO247
Serie :
-
Teilestatus :
Not For New Designs
IGBT-Typ :
-
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
600V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
60A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) :
220A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic :
1.9V @ 15V, 30A
Leistung max :
208W
Energie wechseln :
550µJ (on), 680µJ (off)
Eingabetyp :
Standard
Gate Charge :
170nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C :
36ns/137ns
Testbedingung :
480V, 30A, 3 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) :
55ns
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Paket / fall :
TO-247-3
Supplier Device Package :
TO-247
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