CSD25304W1015 Preise (USD) [479105Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- CSD25304W1015
- Hersteller:
- Texas Instruments
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
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CSD25304W1015 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
CSD25304W1015
Hersteller :
Texas Instruments
Beschreibung :
MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
Serie :
NexFET™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
32.5 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.15V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
4.4nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
595pF @ 10V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
750mW (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
6-DSBGA
Paket / fall :
6-UFBGA, DSBGA
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