R6002END3TL1 Preise (USD) [242031Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- R6002END3TL1
- Hersteller:
- Rohm Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- NCH 600V 2A POWER MOSFET.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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R6002END3TL1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
R6002END3TL1
Hersteller :
Rohm Semiconductor
Beschreibung :
NCH 600V 2A POWER MOSFET
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
1.7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.4 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
6.5nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
65pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
26W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
TO-252
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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