TRS8E65C,S1Q Preise (USD) [12497Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- TRS8E65C,S1Q
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Detaillierte Beschreibung:
- DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220-2L.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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TRS8E65C,S1Q Produkteigenschaften
Artikelnummer :
TRS8E65C,S1Q
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220-2L
Serie :
-
Teilestatus :
Active
Diodentyp :
Silicon Carbide Schottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
650V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
8A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
1.7V @ 8A
Geschwindigkeit :
No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
0ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
90µA @ 650V
Kapazität @ Vr, F :
44pF @ 650V, 1MHz
Befestigungsart :
Through Hole
Paket / fall :
TO-220-2
Supplier Device Package :
TO-220-2L
Betriebstemperatur - Übergang :
175°C (Max)
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