ON Semiconductor - FQD4N50TM_WS

KEY Part #: K6407921

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    Artikelnummer:
    FQD4N50TM_WS
    Hersteller:
    ON Semiconductor
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Dioden - RF, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - JFETs, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays and Thyristoren - Thyristoren ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FQD4N50TM_WS elektronische Komponenten. FQD4N50TM_WS kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FQD4N50TM_WS haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FQD4N50TM_WS Produkteigenschaften

    Artikelnummer : FQD4N50TM_WS
    Hersteller : ON Semiconductor
    Beschreibung : MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK
    Serie : QFET®
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 500V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2.6A (Tc)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.7 Ohm @ 1.3A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 13nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±30V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 460pF @ 25V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 2.5W (Ta), 45W (Tc)
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Surface Mount
    Supplier Device Package : D-Pak
    Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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