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- Artikelnummer:
- IDB18E120ATMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 31A TO263-3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Leistungstreibermodule, Thyristoren - TRIACs, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single and Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) ...
- Wettbewerbsvorteil:
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IDB18E120ATMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IDB18E120ATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
DIODE GEN PURP 1.2KV 31A TO263-3
Serie :
-
Teilestatus :
Obsolete
Diodentyp :
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
1200V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
31A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
2.15V @ 18A
Geschwindigkeit :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
195ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
100µA @ 1200V
Kapazität @ Vr, F :
-
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package :
PG-TO263-3
Betriebstemperatur - Übergang :
-55°C ~ 150°C
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