Vishay Semiconductor Diodes Division - BYG23MHE3_A/H

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Artikelnummer:
BYG23MHE3_A/H
Hersteller:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Detaillierte Beschreibung:
DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC. Rectifiers 1.5A,1000V,75nS AVAL AEC-Q101 Qualified
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Thyristoren - TRIACs, Dioden - RF, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - IGBTs - Single, Thyristoren - SCRs - Module and Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann ...
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BYG23MHE3_A/H Produkteigenschaften

Artikelnummer : BYG23MHE3_A/H
Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung : DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
Serie : Automotive, AEC-Q101
Teilestatus : Active
Diodentyp : Avalanche
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 1000V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 1.5A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.7V @ 1A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 75ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 5µA @ 1000V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : DO-214AC, SMA
Supplier Device Package : DO-214AC (SMA)
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 150°C

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