Vishay Semiconductor Diodes Division - V8P12-M3/86A

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Artikelnummer:
V8P12-M3/86A
Hersteller:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Detaillierte Beschreibung:
DIODE SCHOTTKY 8A 120V TO-277A.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

V8P12-M3/86A Produkteigenschaften

Artikelnummer : V8P12-M3/86A
Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung : DIODE SCHOTTKY 8A 120V TO-277A
Serie : Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS®
Teilestatus : Active
Diodentyp : Schottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 120V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 8A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 840mV @ 8A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : -
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 300µA @ 120V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : TO-277, 3-PowerDFN
Supplier Device Package : TO-277A (SMPC)
Betriebstemperatur - Übergang : -40°C ~ 150°C

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