STGW80H65DFB-4 Preise (USD) [9414Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- STGW80H65DFB-4
- Hersteller:
- STMicroelectronics
- Detaillierte Beschreibung:
- IGBT BIPO 650V 80A TO247.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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STGW80H65DFB-4 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
STGW80H65DFB-4
Hersteller :
STMicroelectronics
Beschreibung :
IGBT BIPO 650V 80A TO247
Serie :
-
Teilestatus :
Active
IGBT-Typ :
Trench Field Stop
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
650V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
120A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) :
240A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic :
2V @ 15V, 80A
Leistung max :
469W
Energie wechseln :
2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
Eingabetyp :
Standard
Gate Charge :
414nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C :
84ns/280ns
Testbedingung :
400V, 80A, 10 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) :
85ns
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Paket / fall :
TO-247-4
Supplier Device Package :
TO-247-4L
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