SI7980DP-T1-GE3 Preise (USD) [3687Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- SI7980DP-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Thyristoren - TRIACs, Transistoren - spezieller Zweck, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays and Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix SI7980DP-T1-GE3 elektronische Komponenten. SI7980DP-T1-GE3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SI7980DP-T1-GE3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
SI7980DP-T1-GE3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SI7980DP-T1-GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8
Serie :
TrenchFET®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion :
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
22 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
27nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1010pF @ 10V
Leistung max :
19.8W, 21.9W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
PowerPAK® SO-8 Dual
Supplier Device Package :
PowerPAK® SO-8 Dual
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