Microsemi Corporation - APTGT50SK170T1G

KEY Part #: K6532654

APTGT50SK170T1G Preise (USD) [1704Stück Lager]

  • 1 pcs$25.41664
  • 10 pcs$23.76590
  • 25 pcs$21.98006
  • 100 pcs$20.60624

Artikelnummer:
APTGT50SK170T1G
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
IGBT 1700V 75A 312W SP1.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Thyristoren - Thyristoren, Leistungstreibermodule, Transistoren - spezieller Zweck, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Thyristoren - SCRs - Module and Dioden - Brückengleichrichter ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation APTGT50SK170T1G elektronische Komponenten. APTGT50SK170T1G kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu APTGT50SK170T1G haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTGT50SK170T1G Produkteigenschaften

Artikelnummer : APTGT50SK170T1G
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : IGBT 1700V 75A 312W SP1
Serie : -
Teilestatus : Active
IGBT-Typ : Trench Field Stop
Aufbau : Single
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 1700V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 75A
Leistung max : 312W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2.4V @ 15V, 50A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 250µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce : 4.4nF @ 25V
Eingang : Standard
NTC-Thermistor : Yes
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : SP1
Supplier Device Package : SP1

Sie könnten auch interessiert sein an
  • VS-ETF150Y65N

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • A2C25S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.