Vishay Semiconductor Diodes Division - SE70PJHM3_A/I

KEY Part #: K6452999

SE70PJHM3_A/I Preise (USD) [229500Stück Lager]

  • 1 pcs$0.16117
  • 6,500 pcs$0.13842

Artikelnummer:
SE70PJHM3_A/I
Hersteller:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 600V 2.9A TO277A. Rectifiers 7A, 600V, SMPC, ESD PROTECTION
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - Programmierbare Einheit and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Vishay Semiconductor Diodes Division SE70PJHM3_A/I elektronische Komponenten. SE70PJHM3_A/I kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SE70PJHM3_A/I haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SE70PJHM3_A/I Produkteigenschaften

Artikelnummer : SE70PJHM3_A/I
Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung : DIODE GEN PURP 600V 2.9A TO277A
Serie : Automotive, AEC-Q101, eSMP®
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 2.9A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.05V @ 7A
Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 2.6µs
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 20µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F : 76pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : TO-277, 3-PowerDFN
Supplier Device Package : TO-277A (SMPC)
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 175°C

Sie könnten auch interessiert sein an
  • C3D10065E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 650V 32A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 650V, 10A

  • VS-HFA08SD60S-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO252AA. Rectifiers 8A 600V Ultrafast 18ns HEXFRED

  • VS-50WQ10FN-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 100V 5.5A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3

  • VS-HFA04SD60STRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 4A DPAK.

  • VS-10WQ045FN-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 10A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3

  • GSD2004W-HE3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 240V 225MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 300 Volt 225mA 50ns