ON Semiconductor - FDV302P

KEY Part #: K6420117

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Artikelnummer:
FDV302P
Hersteller:
ON Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDV302P Produkteigenschaften

Artikelnummer : FDV302P
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 25V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 120mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 2.7V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 0.31nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 11pF @ 10V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 350mW (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : SOT-23
Paket / fall : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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