Vishay Semiconductor Diodes Division - VBT2080S-M3/4W

KEY Part #: K6437041

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Artikelnummer:
VBT2080S-M3/4W
Hersteller:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Detaillierte Beschreibung:
DIODE SCHOTTKY 20A 80V TO-263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 20A,80V,TRENCH SKY RECT.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
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Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Leistungstreibermodule and Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Vishay Semiconductor Diodes Division VBT2080S-M3/4W elektronische Komponenten. VBT2080S-M3/4W kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu VBT2080S-M3/4W haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VBT2080S-M3/4W Produkteigenschaften

Artikelnummer : VBT2080S-M3/4W
Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung : DIODE SCHOTTKY 20A 80V TO-263AB
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Schottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 80V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 20A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 920mV @ 20A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : -
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 700µA @ 80V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package : TO-263AB
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 150°C

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