Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AONR21357

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Artikelnummer:
AONR21357
Hersteller:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET P-CH 30V 3X3 8DFN EP.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AONR21357 Produkteigenschaften

Artikelnummer : AONR21357
Hersteller : Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Beschreibung : MOSFET P-CH 30V 3X3 8DFN EP
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 21A (Ta), 34A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 70nC @ 10V
Vgs (Max) : ±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2830pF @ 15V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 5W (Ta), 30W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 8-DFN-EP (3x3)
Paket / fall : 8-PowerVDFN