DMTH6010SCT Preise (USD) [51384Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- DMTH6010SCT
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET BVDSS 41V 60VTO220-3TU.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Zener - Single, Transistoren - IGBTs - Arrays, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Dioden - Gleichrichter - Single, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF and Transistoren - JFETs ...
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DMTH6010SCT Produkteigenschaften
Artikelnummer :
DMTH6010SCT
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET BVDSS 41V 60VTO220-3TU
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
7.2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
36.3nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1940pF @ 30V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2.8W (Ta), 125W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-220-3
Paket / fall :
TO-220-3
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