Infineon Technologies - BSC016N06NSTATMA1

KEY Part #: K6416415

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Artikelnummer:
BSC016N06NSTATMA1
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
DIFFERENTIATED MOSFETS.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - SCRs - Module, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - IGBTs - Single, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Dioden - RF and Transistoren - Programmierbare Einheit ...
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSC016N06NSTATMA1 Produkteigenschaften

Artikelnummer : BSC016N06NSTATMA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : DIFFERENTIATED MOSFETS
Serie : OptiMOS™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 31A (Ta), 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.6 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.3V @ 95µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 95nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 6500pF @ 30V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 3W (Ta), 167W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PG-TDSON-8 FL
Paket / fall : 8-PowerTDFN

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