IPAW60R600CEXKSA1 Preise (USD) [79254Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IPAW60R600CEXKSA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 600V TO220-3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IPAW60R600CEXKSA1 elektronische Komponenten. IPAW60R600CEXKSA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IPAW60R600CEXKSA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IPAW60R600CEXKSA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPAW60R600CEXKSA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 600V TO220-3
Serie :
CoolMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
10.3A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
600 mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 200µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
20.5nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
444pF @ 100V
FET-Funktion :
Super Junction
Verlustleistung (max.) :
28W (Tc)
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
PG-TO220 Full Pack
Paket / fall :
TO-220-3 Full Pack
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