STGP4M65DF2 Preise (USD) [71938Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- STGP4M65DF2
- Hersteller:
- STMicroelectronics
- Detaillierte Beschreibung:
- IGBT M SERIES 650V 4A LOW LOSS.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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STGP4M65DF2 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
STGP4M65DF2
Hersteller :
STMicroelectronics
Beschreibung :
IGBT M SERIES 650V 4A LOW LOSS
Serie :
M
Teilestatus :
Active
IGBT-Typ :
Trench Field Stop
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
650V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
8A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) :
16A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic :
2.1V @ 15V, 4A
Leistung max :
68W
Energie wechseln :
40µJ (on), 136µJ (off)
Eingabetyp :
Standard
Gate Charge :
15.2nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C :
12ns/86ns
Testbedingung :
400V, 4A, 47 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) :
133ns
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Paket / fall :
TO-220-3
Supplier Device Package :
TO-220AB
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