JANTX1N5811US Preise (USD) [7541Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- JANTX1N5811US
- Hersteller:
- Microsemi Corporation
- Detaillierte Beschreibung:
- DIODE GEN PURP 150V 3A B-MELF. ESD Suppressors / TVS Diodes D MET 6A SFST 150V HR SM
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Single, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - JFETs, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Leistungstreibermodule, Dioden - Brückengleichrichter and Transistoren - IGBTs - Module ...
- Wettbewerbsvorteil:
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JANTX1N5811US Produkteigenschaften
Artikelnummer :
JANTX1N5811US
Hersteller :
Microsemi Corporation
Beschreibung :
DIODE GEN PURP 150V 3A B-MELF
Serie :
Military, MIL-PRF-19500/477
Teilestatus :
Active
Diodentyp :
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
150V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
3A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
875mV @ 4A
Geschwindigkeit :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
30ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
5µA @ 150V
Kapazität @ Vr, F :
60pF @ 10V, 1MHz
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
SQ-MELF, B
Supplier Device Package :
B, SQ-MELF
Betriebstemperatur - Übergang :
-65°C ~ 175°C
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