ON Semiconductor - NGTD5R65F2WP

KEY Part #: K6443156

NGTD5R65F2WP Preise (USD) [278337Stück Lager]

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Artikelnummer:
NGTD5R65F2WP
Hersteller:
ON Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 650V DIE.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Thyristoren - TRIACs, Dioden - Zener - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single and Transistoren - FETs, MOSFETs - HF ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor NGTD5R65F2WP elektronische Komponenten. NGTD5R65F2WP kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu NGTD5R65F2WP haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NGTD5R65F2WP Produkteigenschaften

Artikelnummer : NGTD5R65F2WP
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : DIODE GEN PURP 650V DIE
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 650V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : -
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.3V @ 20A
Geschwindigkeit : -
Reverse Recovery Time (trr) : -
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 1µA @ 650V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : Die
Supplier Device Package : Die
Betriebstemperatur - Übergang : 175°C (Max)

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