FDP8D5N10C Preise (USD) [39860Stück Lager]
- 1 pcs$0.98092
- Artikelnummer:
- FDP8D5N10C
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- FET ENGR DEV-NOT REL.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Leistungstreibermodule, Transistoren - IGBTs - Single, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays and Transistoren - Bipolar (BJT) - Single ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FDP8D5N10C elektronische Komponenten. FDP8D5N10C kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FDP8D5N10C haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
FDP8D5N10C Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FDP8D5N10C
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
FET ENGR DEV-NOT REL
Serie :
PowerTrench®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
76A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8.5 mOhm @ 76A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 130µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
34nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2475pF @ 50V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2.4W (Ta), 107W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-220-3
Paket / fall :
TO-220-3
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