Infineon Technologies - FS150R07N3E4B11BOSA1

KEY Part #: K6532758

[1060Stück Lager]


    Artikelnummer:
    FS150R07N3E4B11BOSA1
    Hersteller:
    Infineon Technologies
    Detaillierte Beschreibung:
    IGBT MODULE VCES 650V 150A.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Leistungstreibermodule, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Dioden - Zener - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies FS150R07N3E4B11BOSA1 elektronische Komponenten. FS150R07N3E4B11BOSA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FS150R07N3E4B11BOSA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FS150R07N3E4B11BOSA1 Produkteigenschaften

    Artikelnummer : FS150R07N3E4B11BOSA1
    Hersteller : Infineon Technologies
    Beschreibung : IGBT MODULE VCES 650V 150A
    Serie : -
    Teilestatus : Obsolete
    IGBT-Typ : Trench Field Stop
    Aufbau : Three Phase Inverter
    Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 650V
    Stromabnehmer (Ic) (max.) : 150A
    Leistung max : 430W
    Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 1.95V @ 15V, 150A
    Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 1mA
    Eingangskapazität (Cies) @ Vce : 9.3nF @ 25V
    Eingang : Standard
    NTC-Thermistor : Yes
    Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C
    Befestigungsart : Chassis Mount
    Paket / fall : Module
    Supplier Device Package : Module

    Sie könnten auch interessiert sein an
    • VS-GB90SA120U

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

    • VS-GB90DA60U

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

    • CPV362M4K

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

    • CPV362M4U

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

    • CPV363M4U

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

    • VS-GB75NA60UF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 600V 70A HS CHOPPER SOT-227. Rectifiers Output & SW Modules SOT-227 IGBT