Vishay Semiconductor Diodes Division - GP30BHE3/54

KEY Part #: K6446809

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    Artikelnummer:
    GP30BHE3/54
    Hersteller:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Detaillierte Beschreibung:
    DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Leistungstreibermodule, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - JFETs, Dioden - RF, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Thyristoren - DIACs, SIDACs and Transistoren - IGBTs - Arrays ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf Vishay Semiconductor Diodes Division GP30BHE3/54 elektronische Komponenten. GP30BHE3/54 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu GP30BHE3/54 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    GP30BHE3/54 Produkteigenschaften

    Artikelnummer : GP30BHE3/54
    Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division
    Beschreibung : DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD
    Serie : SUPERECTIFIER®
    Teilestatus : Obsolete
    Diodentyp : Standard
    Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 100V
    Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 3A
    Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.2V @ 3A
    Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    Reverse Recovery Time (trr) : 5µs
    Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 5µA @ 100V
    Kapazität @ Vr, F : -
    Befestigungsart : Through Hole
    Paket / fall : DO-201AD, Axial
    Supplier Device Package : DO-201AD
    Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 175°C

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