Infineon Technologies - SIDC105D120H8X1SA1

KEY Part #: K6431142

SIDC105D120H8X1SA1 Preise (USD) [6845Stück Lager]

  • 1 pcs$6.01996

Artikelnummer:
SIDC105D120H8X1SA1
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 1.2KV 200A WAFER.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Thyristoren - Thyristoren, Leistungstreibermodule and Dioden - RF ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies SIDC105D120H8X1SA1 elektronische Komponenten. SIDC105D120H8X1SA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SIDC105D120H8X1SA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIDC105D120H8X1SA1 Produkteigenschaften

Artikelnummer : SIDC105D120H8X1SA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : DIODE GEN PURP 1.2KV 200A WAFER
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 1200V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 200A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.41V @ 45A
Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : -
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 27µA @ 1200V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : Die
Supplier Device Package : Sawn on foil
Betriebstemperatur - Übergang : -40°C ~ 175°C

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