Artikelnummer :
GA05JT03-46
Hersteller :
GeneSiC Semiconductor
Beschreibung :
TRANS SJT 300V 9A
Technologie :
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
300V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
9A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
240 mOhm @ 5A
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Verlustleistung (max.) :
20W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 225°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-46