Vishay Semiconductor Diodes Division - S07M-GS18

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Artikelnummer:
S07M-GS18
Hersteller:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 1KV 700MA DO219AB. Rectifiers 0.7 Amp 1000 Volt 1.8uS
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
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Familienkategorien:
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Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

S07M-GS18 Produkteigenschaften

Artikelnummer : S07M-GS18
Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung : DIODE GEN PURP 1KV 700MA DO219AB
Serie : Automotive, AEC-Q101
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 1000V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 700mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 1A
Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 1.8µs
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 10µA @ 1000V
Kapazität @ Vr, F : 4pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : DO-219AB
Supplier Device Package : DO-219AB (SMF)
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 150°C

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