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- Artikelnummer:
- FDS3812
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOIC.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Dioden - RF, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - JFETs and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FDS3812 elektronische Komponenten. FDS3812 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FDS3812 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
FDS3812 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FDS3812
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOIC
Serie :
PowerTrench®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
80V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
74 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
18nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
634pF @ 40V
Leistung max :
900mW
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package :
8-SOIC
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