Vishay Siliconix - SI5504DC-T1-E3

KEY Part #: K6524414

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    Artikelnummer:
    SI5504DC-T1-E3
    Hersteller:
    Vishay Siliconix
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - Thyristoren, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Leistungstreibermodule, Dioden - RF, Transistoren - IGBTs - Arrays and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix SI5504DC-T1-E3 elektronische Komponenten. SI5504DC-T1-E3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SI5504DC-T1-E3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI5504DC-T1-E3 Produkteigenschaften

    Artikelnummer : SI5504DC-T1-E3
    Hersteller : Vishay Siliconix
    Beschreibung : MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8
    Serie : TrenchFET®
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N and P-Channel
    FET-Funktion : Logic Level Gate
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2.9A, 2.1A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 85 mOhm @ 2.9A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA (Min)
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 7.5nC @ 10V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -
    Leistung max : 1.1W
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Surface Mount
    Paket / fall : 8-SMD, Flat Lead
    Supplier Device Package : 1206-8 ChipFET™