Infineon Technologies - PSDC412E11228049NOSA1

KEY Part #: K6532715

PSDC412E11228049NOSA1 Preise (USD) [31Stück Lager]

  • 1 pcs$1119.11313

Artikelnummer:
PSDC412E11228049NOSA1
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
MOD IGBT STACK PSAO-1.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Dioden - Zener - Single and Transistoren - JFETs ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies PSDC412E11228049NOSA1 elektronische Komponenten. PSDC412E11228049NOSA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu PSDC412E11228049NOSA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PSDC412E11228049NOSA1 Produkteigenschaften

Artikelnummer : PSDC412E11228049NOSA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOD IGBT STACK PSAO-1
Serie : *
Teilestatus : Active
IGBT-Typ : -
Aufbau : -
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : -
Stromabnehmer (Ic) (max.) : -
Leistung max : -
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : -
Strom - Kollektorabschaltung (max.) : -
Eingangskapazität (Cies) @ Vce : -
Eingang : -
NTC-Thermistor : -
Betriebstemperatur : -
Befestigungsart : -
Paket / fall : -
Supplier Device Package : -

Sie könnten auch interessiert sein an
  • VS-GB90SA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • A2C25S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.