Hersteller :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung :
DIODE GEN PURP 200V 6A P600
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
200V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
6A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
900mV @ 6A
Geschwindigkeit :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
2.5µs
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
5µA @ 200V
Kapazität @ Vr, F :
150pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart :
Through Hole
Paket / fall :
P600, Axial
Supplier Device Package :
P600
Betriebstemperatur - Übergang :
-50°C ~ 150°C