Vishay Semiconductor Diodes Division - ESH1B-E3/61T

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Artikelnummer:
ESH1B-E3/61T
Hersteller:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC. Rectifiers 100 Volt 1.0A 25ns Glass Passivated
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Thyristoren - Thyristoren, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Dioden - Zener - Single, Leistungstreibermodule and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays ...
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ESH1B-E3/61T Produkteigenschaften

Artikelnummer : ESH1B-E3/61T
Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung : DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 100V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 900mV @ 1A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 25ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 1µA @ 100V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : DO-214AC, SMA
Supplier Device Package : DO-214AC (SMA)
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 175°C

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