IXFH7N90Q Preise (USD) [12229Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IXFH7N90Q
- Hersteller:
- IXYS
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 900V 7A TO-247.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Thyristoren - TRIACs, Dioden - Gleichrichter - Single, Dioden - Zener - Single, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioden - Brückengleichrichter and Thyristoren - DIACs, SIDACs ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf IXYS IXFH7N90Q elektronische Komponenten. IXFH7N90Q kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IXFH7N90Q haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IXFH7N90Q Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IXFH7N90Q
Hersteller :
IXYS
Beschreibung :
MOSFET N-CH 900V 7A TO-247
Serie :
HiPerFET™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
900V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 2.5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
56nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2200pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
180W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-247AD (IXFH)
Paket / fall :
TO-247-3
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