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Central Semiconductor Corp - CTLDM303N-M832DS TR

KEY Part #: K6523742

CTLDM303N-M832DS TR Preise (USD) [4064Stück Lager]

  • 3,000 pcs$0.15140
Artikelnummer:
CTLDM303N-M832DS TR
Hersteller:
Central Semiconductor Corp
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 30V 3.6A TLM832DS.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - spezieller Zweck, Thyristoren - Thyristoren, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Dioden - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann and Transistoren - Bipolar (BJT) - RF ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Central Semiconductor Corp CTLDM303N-M832DS TR elektronische Komponenten. CTLDM303N-M832DS TR kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu CTLDM303N-M832DS TR haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CTLDM303N-M832DS TR Produkteigenschaften

Artikelnummer : CTLDM303N-M832DS TR
Hersteller : Central Semiconductor Corp
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 30V 3.6A TLM832DS
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 3.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 40 mOhm @ 1.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 13nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 590pF @ 10V
Leistung max : 1.65W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-TDFN Exposed Pad
Supplier Device Package : TLM832DS
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