IPD80R2K0P7ATMA1 Preise (USD) [241077Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IPD80R2K0P7ATMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 800V 3A TO252-3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IPD80R2K0P7ATMA1 elektronische Komponenten. IPD80R2K0P7ATMA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IPD80R2K0P7ATMA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IPD80R2K0P7ATMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPD80R2K0P7ATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 800V 3A TO252-3
Serie :
CoolMOS™ P7
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
3A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2 Ohm @ 940mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 50µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
9nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
175pF @ 500V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
24W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-TO252-3
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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