Rohm Semiconductor - RFN1L6STE25

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RFN1L6STE25 Preise (USD) [790810Stück Lager]

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Artikelnummer:
RFN1L6STE25
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDS. Diodes - General Purpose, Power, Switching Diode Switching 600V 0.8A
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RFN1L6STE25 Produkteigenschaften

Artikelnummer : RFN1L6STE25
Hersteller : Rohm Semiconductor
Beschreibung : DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDS
Serie : -
Teilestatus : Not For New Designs
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 800mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.45V @ 800mA
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 35ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 1µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : DO-214AC, SMA
Supplier Device Package : PMDS
Betriebstemperatur - Übergang : 150°C (Max)

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