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- Artikelnummer:
- RGT8NS65DGTL
- Hersteller:
- Rohm Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- IGBT 650V 8A 65W TO-263S.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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RGT8NS65DGTL Produkteigenschaften
Artikelnummer :
RGT8NS65DGTL
Hersteller :
Rohm Semiconductor
Beschreibung :
IGBT 650V 8A 65W TO-263S
Serie :
-
Teilestatus :
Active
IGBT-Typ :
Trench Field Stop
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
650V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
8A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) :
12A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic :
2.1V @ 15V, 4A
Leistung max :
65W
Energie wechseln :
-
Eingabetyp :
Standard
Gate Charge :
13.5nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C :
17ns/69ns
Testbedingung :
400V, 4A, 50 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) :
40ns
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package :
LPDS (TO-263S)
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