Infineon Technologies - IRLU3915PBF

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IRLU3915PBF Preise (USD) [171888Stück Lager]

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Artikelnummer:
IRLU3915PBF
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 55V 30A I-PAK.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRLU3915PBF Produkteigenschaften

Artikelnummer : IRLU3915PBF
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 55V 30A I-PAK
Serie : HEXFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 55V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 30A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 92nC @ 10V
Vgs (Max) : ±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1870pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 120W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : IPAK (TO-251)
Paket / fall : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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