APT25GP120BG Preise (USD) [8805Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- APT25GP120BG
- Hersteller:
- Microsemi Corporation
- Detaillierte Beschreibung:
- IGBT 1200V 69A 417W TO247.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - RF, Dioden - Brückengleichrichter, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Dioden - Zener - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann and Dioden - Zener - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
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APT25GP120BG Produkteigenschaften
Artikelnummer :
APT25GP120BG
Hersteller :
Microsemi Corporation
Beschreibung :
IGBT 1200V 69A 417W TO247
Serie :
POWER MOS 7®
Teilestatus :
Active
IGBT-Typ :
PT
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
69A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) :
90A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic :
3.9V @ 15V, 25A
Leistung max :
417W
Energie wechseln :
500µJ (on), 438µJ (off)
Eingabetyp :
Standard
Gate Charge :
110nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C :
12ns/70ns
Testbedingung :
600V, 25A, 5 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) :
-
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Paket / fall :
TO-247-3
Supplier Device Package :
TO-247 [B]
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