Hersteller :
Microsemi Corporation
Beschreibung :
DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
1000V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
1.6V @ 3A
Geschwindigkeit :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
500ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
500nA @ 1000V
Kapazität @ Vr, F :
15pF @ 12V, 1MHz
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
SQ-MELF, A
Supplier Device Package :
D-5A
Betriebstemperatur - Übergang :
-65°C ~ 175°C